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等離子刻蝕機一般應用于半導體加工領域，而等離子清洗機則一般應用于材料領域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學。因此能改變材料的表面性質(zhì)。例如，大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面產(chǎn)生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性（水接觸角小于30度），并增加表面潤濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學（表面性質(zhì)），如硅、不銹鋼及玻璃。用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料，材料的表面形態(tài)發(fā)生顯著的變化，引入了多種...

PDMS是一種有機聚合物材料，廣泛應用微流控芯片實驗室。今天我們來介紹有關如何進行PDMS光刻復制，也稱為軟光刻工藝，為您提供一些實驗中的小技巧，優(yōu)化您的實驗結(jié)果。01硅烷化模具的制備*使用模具時，必須使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很強的親水性，因此PDMS對它有良好的親和力，其強度足以使之無法剝離，只能將模具破壞并從頭開始實驗。這里我們使用硅烷功能，一旦在表面上yongjiu粘合，也可使接觸角超過90°，表面疏水?？梢允褂脷怏w或液體處理，即通過氣體或連續(xù)的液浴將硅烷功...

懸浮活性硅膜厚度測量，適用于MEMS微機電系統(tǒng)應用，光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

懸浮活性硅膜厚度測量，適用于MEMS微機電系統(tǒng)應用，光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

旋涂曲線（spincurve）是光刻膠重要參數(shù)之一，他給我們選擇光刻膠提供了重要的指導意義。所以我們來介紹一下什么是旋涂曲線？怎樣使用旋涂曲線？如何獲得旋涂曲線？什么是光刻膠旋涂曲線？顧名思義，光刻膠旋涂曲線就是在旋涂工藝下，光刻膠的厚度與勻膠轉(zhuǎn)速的關系曲線。一般來說，某一固定固含量的光刻膠在相同的勻膠條件下都會有一個相對穩(wěn)定的膜厚值。這個厚度隨著勻膠轉(zhuǎn)速的提高而降低。下圖是一個典型的光刻膠旋涂曲線：影響光刻膠旋涂曲線的因素主要有：光刻膠種類和固含量：一般來說，固含量越大，相...

納米制造使用光刻工藝(193nm，EUV，EBL等)涉及廣泛的材料、技術(shù)和相關的處理步驟，以便生產(chǎn)明確的納米結(jié)構(gòu)。光刻膠的光刻對比曲線是工藝優(yōu)化常用的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度，作為對數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測量方法:在本篇應用案例中，使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對負性抗蝕劑進行曝光，生成100×100μm正方形的陣列，每個正方形對應不同的曝光劑量。在顯影步驟之后，使用FR-μ探針顯微光譜儀工...

等離子處理中哪種頻率效果好？中頻？射頻？微波？KHz，中頻產(chǎn)生等離子體能量大，主要是物理作用；MHz，射頻產(chǎn)生等離子體能量和密度居中,為物理和化學作用；GHz，微波產(chǎn)生等離子體能量小，密度高，主要為化學作用；40kHz、13.56MHz和2.45GHz等離子體激發(fā)頻率運用：激發(fā)頻率為40kHz的等離子體即超聲等離子體清洗是以物理反應為主的等離子體清洗，也叫做濺射腐蝕（SPE）或離子銑（IM），其優(yōu)點在于本身不發(fā)生化學反應，清潔表面不會留下任何的氧化物，可以保持被清洗物的化學純...